1SMA5927BT3G
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编辑本段 1SMA5927BT3G 特点
1SMA5927BT3G，采用SMA/-65~150封装方式。
齐纳击穿电压Vz最小值(V):11.400
齐纳击穿电压Vz典型值(V):12
齐纳击穿电压Vz最大值(V):12.600
@Izt(mA):31.200
齐纳击穿电压Vz典型值(V):12
齐纳击穿电压Vz最大值(V):12.600
@Izt(mA):31.200
齐纳阻抗Zzt(Ω):6.500
最大功率PMax(W):1.500
芯片标识:827B
封装/温度(℃):SMA/-65~150
最大功率PMax(W):1.500
芯片标识:827B
封装/温度(℃):SMA/-65~150
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