2SC3356
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编辑本段 2SC3356 特点
类别：NPN-硅通用晶体管
最大额定参数：
集电极-发射极电压VCEO：12V
集电极-基极电压VCBO:20V
发射极-基极电压VEBO:3.0V
集电极直流电流IC:100mA
总耗散功率(TA=25℃)Ptot:225mW
工作结温Tj:150℃
最大额定参数：
集电极-发射极电压VCEO：12V
集电极-基极电压VCBO:20V
发射极-基极电压VEBO:3.0V
集电极直流电流IC:100mA
总耗散功率(TA=25℃)Ptot:225mW
工作结温Tj:150℃
贮存温度Tstg:-65~150℃
电性能参数（TA=25℃）：
击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20,V(BR)EBO=3.0
直流放大系数hFE:50~300
集电极-基极截止电流ICBO:100nA(最大值)
发射极-基极截止电流IEBO:100nA(最大值)
特征频率fT:7.0GHz
封装：SOT-23
电性能参数（TA=25℃）：
击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20,V(BR)EBO=3.0
直流放大系数hFE:50~300
集电极-基极截止电流ICBO:100nA(最大值)
发射极-基极截止电流IEBO:100nA(最大值)
特征频率fT:7.0GHz
封装：SOT-23
以上信息由华强电子网提供,仅供参考！
添加厂商 2SC3356 生产厂商
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最后由“深圳市高科电子”编辑！
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