SI2301
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编辑本段 SI2301 特点
晶体管类型：P沟道MOSFET
最大功耗PD：1.25W
栅极门限电压VGS：2.5V（典型值）
漏源电压VDS：－20V（极限值）
最大功耗PD：1.25W
栅极门限电压VGS：2.5V（典型值）
漏源电压VDS：－20V（极限值）
漏极电流ID：－2.3A
通态电阻RDS(on）：0.145ohm（典型值）
栅极漏电流IGSS：±100nA
结温:-55℃to+150℃
封装：SOT-23(TO-236)
通态电阻RDS(on）：0.145ohm（典型值）
栅极漏电流IGSS：±100nA
结温:-55℃to+150℃
封装：SOT-23(TO-236)
以上信息由华强电子网提供,仅供参考！
添加PDF SI2301 资料
- 型号
- 简要描述
- 厂商
- 下载
- SI2301CDS-T1-GE3
- P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
- SI2301CDS-T1-E3
- P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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修改/添加 SI2301 替代型号
- 型号
- 描述
- NCE2301
- NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
- RTM2301
- 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
- ACE2301
- P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
- CMT2301
- P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
- STS2301
- P -Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
最后由“深圳楷轩电子有限公司”编辑！
添加厂商 SI2301 生产厂商
- vishay Vishay 是世界最大的分立半导体和被动元件的制造商之一. Vishay元件用于工业, 计算机, 汽车, 消费, 电信, 军事, 航空及医疗市场的各种类型的电子设备中. Vishay 的全球足迹包括在中国, 亚洲其他五个国家/地区, 欧洲及美洲设立的制造机构, 以及在全球开设的销售办事处. Vishay 在...
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