SI2301BDS-T1-E3
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编辑本段 SI2301BDS-T1-E3 特点
制造商：Vishay
产品种类：MOSFET小信号
RoHS：是
配置：Single
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：20V
闸/源击穿电压：+/-8V
漏极连续电流：2.2A
产品种类：MOSFET小信号
RoHS：是
配置：Single
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：20V
闸/源击穿电压：+/-8V
漏极连续电流：2.2A
功率耗散：700mW
最大工作温度：+150C
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：TO-236-3
封装：Reel
最小工作温度：-55C
StandardPackQty：3000
最大工作温度：+150C
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：TO-236-3
封装：Reel
最小工作温度：-55C
StandardPackQty：3000
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