SI2301BDS
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编辑本段 SI2301BDS 特点
SI2301BDS，采用SOT-23 封装方式。
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-2.2A
电压, Vds 最大:-20V
开态电阻, Rds(on):0.1ohm
电压 @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:-950mV
功耗:900mW
封装类型:SOT-23
漏极电流, Id 最大值:-2.2A
电压, Vds 最大:-20V
开态电阻, Rds(on):0.1ohm
电压 @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:-950mV
功耗:900mW
封装类型:SOT-23
针脚数:3
封装类型:SOT-23
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
电压, Vds 典型值:-20V
电流, Id 连续:-2.4A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-0.95V
封装类型:SOT-23
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
电压, Vds 典型值:-20V
电流, Id 连续:-2.4A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-0.95V
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- 型号
- 简要描述
- 厂商
- 下载
- SI2301BDS_08
- P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
- SI2301BDS-T1
- P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
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