SI2302CDS-T1-E3
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编辑本段 SI2302CDS-T1-E3 特点
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：57 毫欧 @ 3.6A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.6A
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：57 毫欧 @ 3.6A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.6A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：850mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：5.5nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：-
功率 - 最大：710mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：SOT-23-3
闸电荷(Qg) @ Vgs：5.5nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：-
功率 - 最大：710mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：SOT-23-3
以上信息由华强电子网提供,仅供参考！
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- 简要描述
- 厂商
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- SI2302CDS-T1-E3
- N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
- VISHAY
- SI2302CDS-T1-E3
- N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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