mmbt3904
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编辑本段 mmbt3904 特点
mmbt3904，采用SOT-23 封装方式。
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:300MHz
功耗, Pd:350mW
集电极直流电流:200mA
直流电流增益 hFE:300
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SMD标号:1A
功耗:350mW
器件标记:BT3904
噪声因子(NF), 最大:5dB
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:300MHz
功耗, Pd:350mW
集电极直流电流:200mA
直流电流增益 hFE:300
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SMD标号:1A
功耗:350mW
器件标记:BT3904
噪声因子(NF), 最大:5dB
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:350mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:200mA
最小增益带宽 ft:300MHz
电压, Vcbo:60V
电流, Ic hFE:10mA
电流, Ic 最大:200mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.2V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
总功率, Ptot:350mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:200mA
最小增益带宽 ft:300MHz
电压, Vcbo:60V
电流, Ic hFE:10mA
电流, Ic 最大:200mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.2V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
以上信息由华强电子网提供,仅供参考！
添加PDF mmbt3904 资料
- 型号
- 简要描述
- 厂商
- 下载
- MMBT3904WT1
- GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT
- ONSEMI
- MMBT3904WT1
- General Purpose Transistor
- MOTOROLA&nb
- MMBT3904WT1
- General Purpose Transistors(NPN and PNP Silicon)
- LRC [L
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