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摘要： 该设备是采用先进的IGBT专有的沟槽栅和场止结构。这IGBT系列提供的传导和开关损耗之间的最佳折衷，最大频率很高的转换效率。此外，积极的V CE（SAT）更容易并联运行温度系数和很紧的参数分布的结果。
该设备是采用先进的IGBT专有的沟槽栅和场止结构。这IGBT系列提供的传导和开关损耗之间的最佳折衷，最大频率很高的转换效率。此外，积极的V CE（SAT）更容易并联运行温度系数和很紧的参数分布的结果。
特征
高速开关
紧参数分布
安全并联
低的热电阻
额定短路
超快速软恢复反并联二极管
应用
电机控制
UPS，PFC
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| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| EPCOS | 爱普科斯 | / |
| STM32F103RCT6 | ST | ￥461.23 |
| STM32F103C8T6 | ST | ￥84 |
| STM32F103VET6 | ST | ￥426.57 |
| STM32F103RET6 | ST | ￥780.82 |
| STM8S003F3P6 | ST | ￥10.62 |
| STM32F103VCT6 | ST | ￥275.84 |
| STM32F103CBT6 | ST | ￥130.66 |
| STM32F030C8T6 | ST | ￥18.11 |
| N76E003AT20 | NUVOTON | ￥9.67 |
