MOSFET驱动器 更新时间：2011-05-29 07:10

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MOSFET驱动器是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。

MOSFET驱动器的特点

• ●欠压闭锁功能

  ●自适应贯通保护功能

  ●自举电源电压至 114V

  ●1.4A 峰值顶端栅极上拉电流

  ●1.75A 峰值底端栅极上拉电流

  ●耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装

  ●宽 VCC 电压：4.5V 至 13.5V

  ●1.5Ω 顶端栅极驱动器下拉电阻

  ●0.75Ω 底端栅极驱动器下拉电阻

  ●5ns 顶端栅极下降时间驱动 1nF 负载

  ●8ns 顶端栅极上升时间驱动 1nF 负载

  ●3ns 底端栅极下降时间驱动 1nF 负载

  ●6ns 底端栅极上升时间驱动 1nF 负载

  ●可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET

MOSFET驱动器的功耗计算

• MOSFET 驱动器的功耗包含三部分：

  1. 由于MOSFET栅极电容充电和放电产生的功耗。

  与MOSFET栅极电容充电和放电有关。这部分功耗通常是最高的，特别在很低的开关频率时。

  2. 由于MOSFET 驱动器吸收静态电流而产生的功耗。

  高电平时和低电平时的静态功耗。

  3. MOSFET 驱动器交越导通（穿通）电流产生的功耗。

  由于MOSFET 驱动器交越导通而产生的功耗，通常这也被称为穿通。这是由于输出驱动级的P沟道和N 沟道场效应管（FET）在其导通和截止状态之间切换时同时导通而引起的。
  

MOSFET驱动器的应用

• ●分布式电源架构

  ●汽车电源

  ●高密度

  ●电信系统