美国技术公司（IDT）又增加了两个新成员，其不断增长的硅基RF电压可变衰减器（VVA）系列-它们提供的模拟控制需要精确衰减应用-扩大该公司的频率覆盖范围为1MHz至6GHz。

　　就像家庭中的其他成员，在F2255和F2258器件提供什么自称是业界领先的低插入损耗和高线性度。即将在紧凑的3mm x 3mm，16引脚TQFN封装，新器件可提供具有竞争力的解决方案，大约一半的插入损耗，IP3（三阶截取点）的线性性能1000X（30分贝），比竞争砷化镓更好的砷化镓（GaAs）装置中，来计算，并显示出两端的电压控制范围内的线性以dB衰减特性。它们的低插入损耗降低了射频链的路径损耗，而他们的高线性度提高了系统的数据传输速率。

　　这些新器件匹配流行脚印和适于基站（2G，3G和4G），微波的基础设施，公共安全，便携式无线通信/数据设备，测试/ATE设备，军事系统，JTRS无线电和HF，VHF和UHF无线电。

　　“相比砷化镓的解决方案IDT的硅基RF产品提供卓越的性能，在这种情况下，高达30dB的线性改善，”克里斯·斯蒂芬斯，IDT的射频事业部总经理说。“这些设备是在市场上的最低插入损耗VVAs，并且具有最线性衰减控制特性”。

　　IDT声称，通过使用硅基射频半导体技术，其衰减器提供了一种有力的替代旧的基于GaAs的技术。硅提供了更强大的静电放电（ESD）保护，更好的潮湿敏感度等级（MSL），提高了散热性能，更低的功耗和公认的可靠性，该公司补充道。

　　在F2258进行比较到管脚兼容的GaAs竞争者，该装置具有一个输入IP3高达65dBm与35dBm的，33分贝/V与53分贝/V，最小的回波损耗高达12.5分贝与7分贝的6000MHz的最大衰减斜率，并105℃与85℃的最高工作温度范围。在F2255支持的频率范围向下到1MHz并具有33分贝/V的最大衰减斜率。

　　这两款器件具有双向RF端口，支持3V或5V单正电源电压，并具有-40°C至105°C的工作温度范围。