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10月刊内容导读

NB-IoT模组成本下滑到利润临界点 是隐患还是机遇?

今年8月份,中国联通公布了NB-IoT模组的招标结果,采购数量高达300万,同时中标企业大多以低于30元/片的价格入选,当然具体采购多少需要在今年底才能揭晓。而市场中早有一种声音,当NB-IoT价格低于6美元时,将得到快速的发展,当价格低于5美元时,市场将引来爆发,但是从目前的情况来看,市场的反馈并不如预期,似乎NB-IoT市场的发展已经与价格关系渐行渐远。面对未进蓝海便已成红的现状,国内厂商将如何自处,国内的市场又将迎来哪些变化?

MLCC 缺货涨价行情缓解之后……

MLCC无疑是今年最受关注的被动元器件乃至电子板块细分领域,我们再次回顾此番MLCC涨价缺货潮发展路径:村田、太阳诱电等一线日本企业转向高容值、小型化及车规产品,缩减并退出部分常规型产能(0603\0805\1206等大尺寸),国巨、华新科技等二线台湾企业及宇阳、风华等大陆企业由于技术和产能的限制短时内无力承接,导致常规品缺货;而下游新能源汽车出货量以及汽车电子化率提升,智能手机精密化发展带来单机MLCC的用量提升、物联网快速发展推动MLCC需求每年呈10%左右的增长。供需缺口的放大带来了一年多缺货涨价行情。

从链路到系统 测试技术正加速5G商业化落地

近日,在2018通信展期间,IMT-2020(5G)推进组正式公布中国5G技术研发试验的第三阶段测试结果,NSA(非独立组网)测试已基本完成,SA(独立组网)测试也已进程过半。不同于过往2G、3G、4G的平稳过渡,由于频率覆盖、传播特性等参数的不同,面对5G技术,厂商若想尽快实现5G的商用落地,则需要明晰5G的特性,因此5G测试这一步是必须且至关重要的选择。

突破6英寸外延片两大工艺难点 消费级VSCEL”中国芯”迎难而上

今年以来,随着安卓阵营的小米、Oppo、Vivo以及华为等手机大厂陆续推出搭载3D人脸识别功能的多款机型,3D Sensing俨然已成为高端智能手机的标配。受益于此,作为3D Sensing系统关键组件的VSCEL芯片市场也备受全球半导体厂商及资本的热捧,在芯片“自主国产化”热潮的催动下,越来越多的本土半导体厂商也相继踏上了VSCEL芯片国产化的征程。但实现VSCEL芯片国产化仍需跨过多道门槛,尤其是在关键的VSCEL外延技术被国外巨头近乎垄断的局势下,如何突破940nm外延片的量产工艺,赶上这波即将到来的3D Sensing应用热潮,已成为本土VSCEL厂商亟待攻克的难题。

IGBT价格高位趋稳 影响工控企业盈利能力

根据目前IGBT持续涨价的趋势,对国内工业自动化及新能源汽车电机电控相关企业毛利率水平将造成一定影响,但由于国内IGBT产品价格缺乏明确统计,因此较难准确估算国内企业毛利率影响的具体程度。但我们可以利用日本经济产业省发布的日本市场IGBT近期价格的变化情况来大致估算国内相关企业毛利率水平的变动,由于IGBT是一个全球化市场,因此我们认为日本市场的价格变化也能在某种程度上反应国内市场的情况。

中国晶圆代工行业竞争如何破局?

晶圆代工(Foundry)是半导体产业链的基础,中国在14nm 以下先进工艺的缺失是发展AI、5G 的主要瓶颈之一。目前全球半导体行业处于AI、5G 普及之前的下行周期,竞争格局上台积电(TSMC)一家独大,几乎垄断先进制程市场。中芯国际,华虹半导体等中国大陆企业技术上虽与台积电存在5 年以上的差距,但在1)政府集中资金投入,2)公司增强有效的人才和研发体系,以及3)大客户的支持下,预计中国大陆企业在2020 年以后通过技术突破带来的跳跃式发展机遇。

晶圆制造新工艺新结构驱动刻蚀市场需求高企——半导体刻蚀设备行业深度报告

硅光子技术是基于硅材料,利用现有CMOS工艺进行光器件开发与集成的新一代通信技术。硅光子技术的核心理念是“以光代电”,将光学器件与电子元件整合到一个独立的微芯片中,利用激光作为信息传导介质,提升芯片间的连接速度。随着流量的持续爆发,芯片层面的“光进铜退”将是大势所趋,硅光子技术有望实现规模商用化。

光芯片市场成长空间“一望无际” 国产化进程提速

在晶圆制造众多环节中薄膜沉积、光刻和刻蚀是三个核心环节。
薄膜沉积在IC 制造中属于必不可少的重要工序,需要经历沉积-刻蚀-沉积的反复过程,以实现大型集成电路的分层结构。薄膜沉积是一系列涉及原子的吸附、吸附原子在表面的扩散及在适当的位置下聚结,以渐渐形成薄膜并成长的过程。