飞索转型求生存

来源:华强电子网 作者:—— 时间:2010-09-29 09:07

飞索表示,除了已耕耘20年的车用NOR Flash产品线外,飞索也会把大量资源放在内嵌式产品上,这会是未来成长性最高的产品线,且随著营运弹性化的策略彻底落实,飞索在回应市场变化和客户需求上也未更快速。

全球内嵌式NOR Flash领域的竞争状况也相当激烈,过去飞索在此市场产品线相当齐全,从16Mb~512Mb以及1Gb和2Gb等高容量产品线都很齐全,其它竞争对手还包括三星电子(Samsung Electronics)、恒忆(Numonyx)、超捷(SST)旺宏、华邦、Atmel等。

飞索过去营运包袱相当重,主要来自于自有晶圆厂的负担,2010年飞索将日本1座12寸晶圆厂和1座8寸晶圆厂卖给德仪后,主要的生产重心放在位于美国德州奥斯汀的12寸厂Fab 25。

企业营销总监John Nation强调,未来飞索的生产策略上,仍是会以自有的Fab 25厂房为主,其它委外代工的对象还有德州仪器、中芯半导体等;在制程技术上,在Fab 25厂房方面,主要制程技术为110纳米、90纳米和65纳米,未来仍可持续扩产;与德仪合作的制程技术则以110纳米为主;与中芯的代工合作则是以65 纳米制程为主。

再者,飞索也与尔必达(Elpida)合作NAND Flash产品,将以尔必达在日本广岛的12寸晶圆厂做为生产基地,初期从43纳米切入,未来再持续导入32纳米,双方也宣布采用飞索MirrorBit Charge-Trapping技术的4Gb容量SLC(Single-Level Cell)芯片正式问世,计划2010年第4季试产,在2011年第1季可步入量产。

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