多鳍片晶体管、三栅极SRAM单元以及三栅极RMG,与之前的32纳米平面晶体管相比，22纳米3-D三栅极晶体管在低电压下将性能提高了37%，而功耗下降一半。无疑，这一巨大的改进意味着它们将是英特尔进入小型手持设备的杀手武器。“采用这种技术的终端，仅要求晶体管在运行时只用较少的电力进行开关操作。全新的晶体管只需消耗不到一半的电量，就能达到与32纳米芯片中2-D平面晶体管一样的性能。”柯比表示，“低电压和低电量的好处，远远超过我们通常从一代制程升级到下一代制程时所得到的好处。它将让产品设计师能够灵活地将现有设备创新得更智能，并且有可能开发出全新的产品。”
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