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品牌 批号 数量 封装 交易说明 询价
FQPF8N60CFT

深圳市坤廷电子有限公司

仙童/ON

24+

352612

T0-220F

 询价

FQPF8N60CFT

广东汇利达半导体有限公司

FAIRCHILD/仙童

2025+

136466

TO-220

 询价

FQPF8N60CFT

深圳中芯力量电子有限公司

LMSEMI/砺马

26+

89722

TO-220F-3

 询价

FQPF8N60CFT

深圳市源盛发电子有限公司

FAIRCHILD/仙童

25+

68500

TO220F

FT0404MW TO220F

 询价

FQPF8N60CFT

深圳市华轩阳电子有限公司

HXY/华轩阳

26+

68000

TO-220F

ID:7A,VDSS:650V,RDON:1200mR,VGS:30V,TYPE:N沟道,

 询价

FQPF8N60CFT

深圳市鸿嘉盛电子有限公司

FAIRCHILD/仙童

23+

56000

TO-220F

 询价

FQPF8N60CFT

深圳市福田区新亚洲电子市场二期诚利电子经营部

FAIRCHILD/仙童

23+

52388

TO-220-3

 询价

FQPF8N60CFT

深圳市杰芯卓越电子有限公司

ONSEMI/安森美

26+

38685

TO-220-3

 询价

FQPF8N60CFT

深圳市杰芯卓越电子有限公司

ONSEMI/安森美

24+

38658

TO-220-3

800180089

 询价

FQPF8N60CFT

深圳市升源通鑫电子有限公司

ONSEMI/安森美

23+

32498

TO-220-3FullPak

 询价

FQPF8N60CFT

深圳市博润天电子有限公司

FAIRCHILD/仙童

25+

12434

T0-220F

 询价

FQPF8N60CFT

深圳市华美锐科技有限公司

FAIRCHILD/仙童

11667

 询价

FQPF8N60CFT

深圳市福田区联冠电子经营部

FAIRCHILD/仙童

20+

11111

TO-220F-3

场效应N沟道 600V6.26A

 询价

FQPF8N60CFT

贤武电子商行(个体)

ONSEMI/安森美

22+

10000

TO-220F

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FQPF8N60CFT

深圳市中盈通顺科技有限公司

ONSEMI/安森美

10000

 询价

FQPF8N60CFT

深圳市微铨科技有限公司

ONSEMI/安森美

21+

6000

TO-220F

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FQPF8N60CFT

深圳市矽灵斯电子有限公司

FAIRCHILD/仙童

22+23+

5000

TO-220-3 Full Pack

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深圳市吉利鑫科技发展有限公司

ONSEMI/安森美

26+

1000

SMD

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FQPF8N60CFT

香港盈顺国际有限公司

ONSEMI/安森美

26+

1000

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FQPF8N60CFT

深圳市福田区新亚洲电子市场华尔泰电子商行

FAIRCHILD/仙童

11+

183

TO-220F

 询价

FQPF8N60CFT

深圳市忠生电子有限公司

FAIRCHILD/仙童

06+

47

TO-220

 询价

FQPF8N60CFT

深圳市福田区朝芯电子商行

ONSEMI/安森美

1151

36

TO-220F

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FQPF8N60CFT

深圳市科立迅信息技术有限公司

ONSEMI/安森美

1151+

36

TO-220F

 询价

FQPF8N60CFT

深圳市中鹏科技有限公司

ONSEMI/安森美

1151+

36

TO-220F

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FQPF8N60CFT

深圳市齐恒心微科技有限公司

FAIRCHILD/仙童

09+

30

TO-220F

 询价

FQPF8N60CFT

深圳市东昊诺科技有限公司

FAIRCHILD/仙童

10+

20

TO-220F

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FQPF8N60CFT

深圳市尚想信息技术有限公司

ONSEMI/安森美

25+

20

 询价

FQPF8N60CFT

深圳市福田区鑫伟泰伟业电子商行

FAIRCHILD/仙童

1334+

19

TO-220F

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FQPF8N60CFT

深圳市勇涛伟业电子有限公司

FAIRCHILD/仙童

1402+

18

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FQPF8N60CFT

深圳市智锐宏电子科技有限公司

FAIRCHILD/仙童

10+

15

TO-220F

 询价

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FQPF8N60CFT相关信息:

类别:分离式半导体产品 家庭:MOSFET,GaNFET - 单 系列:FRFET™FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点:标准型开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.5 欧姆 @ 3.13A, 10V漏极至源极电压(Vdss):600V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6.26AId 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:36nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss) :1255pF @ 25V功率 - 最大:48W安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 全封装(直引线)包装:管件供应商设备封装:*

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