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| 型号 |
供应商
|
品牌 | 批号 | 数量 | 封装 | 交易说明 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FQPF8N60CT
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FAIRCHILD/仙童
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2025+ |
136467
|
TO-220 |
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FQPF8N60CT
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FAIRCHILD/仙童
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25+ |
68500
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TO220F |
FT0404NW TO220F
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FQPF8N60CT
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HXY/华轩阳
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26+ |
68000
|
TO-220F |
ID:10A,VDSS:650V,RDON:860mR,TYPE:N沟道,
|
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|
|
FQPF8N60CT
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FAIRCHILD/仙童
|
23+ |
52388
|
TO220F |
|
||
|
FQPF8N60CT
|
FAIRCHILD/仙童
|
11+ |
2000
|
TO-220F |
|
||
|
FQPF8N60CT
|
FAIRCHILD/仙童
|
16+PBF |
180
|
TO220F |
|
||
|
FQPF8N60CT
|
FAIRCHILD/仙童
|
19+ |
50
|
TO-220F |
|
||
|
FQPF8N60CT
|
FAIRCHILD/仙童
|
19+ |
50
|
TO-220F |
|
||
|
FQPF8N60CT
|
FAIRCHILD/仙童
|
19+ |
50
|
TO-220F |
|
||
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FQPF8N60CT
|
FAIRCHILD/仙童
|
11+ |
28
|
TO-220F |
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类别:分离式半导体产品 家庭:MOSFET,GaNFET - 单 系列:QFET™FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点:标准型开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.2 欧姆 @ 3.75A, 10V漏极至源极电压(Vdss):600V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.5AId 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:36nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss) :1255pF @ 25V功率 - 最大:48W安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 全封装(直引线)包装:管件供应商设备封装:*
FQPF8N60CT的搜索指数、商家竞价均价、商家总数以及库存量等烽火指数情况 点击查看