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IPD35N10S3L-26相关信息：

类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET - 单系列：OptiMOS™FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点：逻辑电平门开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：24 毫欧 @ 35A, 10V漏极至源极电压(Vdss)：100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：35AId 时的 Vgs(th)（最大）：2.4V @ 39µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：39nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2700pF @ 25V功率 - 最大：71W安装类型：表面贴装封装/外壳：DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)包装：带卷 (TR)供应商设备封装：TO-252其它名称：SP000386184

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