型号 |
供应商
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品牌 | 批号 | 数量 | 封装 | 交易说明 | 询价 |
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IRF620STRL
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台产
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20+ |
65493
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TO-263 |
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IRF620STRL
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INFINEON/英飞凌
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2023+PBF |
50000
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TO-263 |
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IRF620STRL
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VISHAY/威世
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22+ |
43000
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D2PAK |
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IRF620STRL
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VISHAY/威世
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23+ |
40000
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TO-263 |
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IRF620STRL
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VISHAY/威世
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22+ |
32365
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D2PAK |
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IRF620STRL
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VISHAY/威世
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21+ |
26008
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TO-263 |
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IRF620STRL
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VBsemi/微碧半导体
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20+ |
5000
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TO263 |
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IRF620STRL
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VISHAY/威世
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2015 |
4000
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TO-263 |
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类别:分离式半导体产品 家庭:MOSFET,GaNFET - 单 系列:-FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点:标准型开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:800 毫欧 @ 3.1A, 10V漏极至源极电压(Vdss):200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.2AId 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:14nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss) :260pF @ 25V功率 - 最大:3W安装类型:表面贴装 封装/外壳:D²Pak,TO-263(2 引线 + 接片)包装:带卷 (TR)供应商设备封装:*
IRF620STRL的搜索指数、商家竞价均价、商家总数以及库存量等烽火指数情况 点击查看