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类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET - 单系列：-FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点：标准型开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：750 毫欧 @ 5.5A, 10V漏极至源极电压(Vdss)：600V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：9.2AId 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：49nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1400pF @ 25V功率 - 最大：170W安装类型：通孔封装/外壳：TO-220-3 (直引线) 包装：管件供应商设备封装：*其它名称：*IRFB9N60APBF

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