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IRFP250MPBF相关信息：

类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET - 单系列：HEXFET®FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点：标准型开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：75 毫欧 @ 18A, 10V漏极至源极电压(Vdss)：200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：30AId 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：123nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2159pF @ 25V功率 - 最大：214W安装类型：通孔封装/外壳：TO-247-3 （直引线）, TO-247AC包装：管件供应商设备封装：TO-247AC

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