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IRFP4321PBF相关信息：

类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET - 单系列：HEXFET®FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点：标准型开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：15.5 毫欧 @ 33A, 10V漏极至源极电压(Vdss)：150V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：78AId 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：110nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4460pF @ 25V功率 - 最大：310W安装类型：通孔封装/外壳：TO-247-3 （直引线）, TO-247AC包装：散装供应商设备封装：TO-247AC

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