IRFR15N20DTRPBF_IRFR15N20DTRPBF全国供应商_PDF中文资料

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IRFR15N20DTRPBF	深圳市腾嘉泰电子有限公司评价	IR	16+	26	TO252		询价
IRFR15N20DTRPBF	深圳市正品电子有限公司评价	Infineon /IR	14+	18	TO-252		询价
IRFR15N20DTRPBF	深圳市长润泽科技有限公司评价	INFINEON/英飞凌	2133+	18	TO252		询价
IRFR15N20DTRPBF	深圳市福田区盛裕佳电子商行评价	INFINEON/英飞凌	1209+	16	TO-252		询价
IRFR15N20DTRPBF	深圳市弘佳源电子商行（个体）评价	INFINEON/英飞凌	1209+	16	TO-252		询价
IRFR15N20DTRPBF	北京京北通宇电子元件有限公司评价	INFINEON/英飞凌	26+	10	SMD	晶体管	询价
IRFR15N20DTRPBF	深圳市佳芯恒业科技有限公司评价	INFINEON/英飞凌	13+	10	TO-252		询价
IRFR15N20DTRPBF	深圳世纪超想电子科技有限公司评价	IR	11+	8	TO-252		询价
IRFR15N20DTRPBF	深圳市凌志盈电子有限公司评价	INFINEON/英飞凌	21+	5	TO-252-3	██ ██ ██ ██	询价
IRFR15N20DTRPBF	深圳市福田区华强电子世界三和达电子商行评价	INFINEON/英飞凌	19+	3	TO-252		询价
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IRFR15N20DTRPBF相关信息：

类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET - 单系列：HEXFET®FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点：标准型开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：165 毫欧 @ 10A, 10V漏极至源极电压(Vdss)：200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：17AId 时的 Vgs(th)（最大）：5.5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：41nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：910pF @ 25V功率 - 最大：3W安装类型：表面贴装封装/外壳：DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)包装：带卷 (TR)供应商设备封装：D-Pak

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