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IRFS4227TRLPBF	林沃田信息技术（深圳）有限公司评价	INFINEON/英飞凌	26+	156500			询价
IRFS4227TRLPBF	深圳市华科宏业电子科技有限公司评价	INFINEON/英飞凌	15+	135689	TO-263		询价
IRFS4227TRLPBF	广东汇利达半导体有限公司评价	INFINEON/英飞凌	2025+	128415	TO-263		询价
IRFS4227TRLPBF	深圳市宏博通电子有限公司评价	INFINEON/英飞凌	23+	120000			询价
IRFS4227TRLPBF	深圳市天杰威电子有限公司评价	INFINEON/英飞凌	24+	120000			询价
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IRFS4227TRLPBF	深圳市友佳达电子科技有限公司评价	INFINEON/英飞凌	22+	120000			询价
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IRFS4227TRLPBF	深圳市晶力微科技有限公司评价	Jingliwei	26+	100000	D2PAK(TO-263)		询价
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IRFS4227TRLPBF	深圳市智航芯电子有限公司评价	INFINEON/英飞凌	26+	97938	TO-263		询价
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IRFS4227TRLPBF	深圳中芯力量电子有限公司评价	LMSEMI/砺马	26+	89722	TO-263-2		询价
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IRFS4227TRLPBF	苏州易易通电子商务有限公司评价	INFINEON/英飞凌	2	82400			询价
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IRFS4227TRLPBF	深圳市金锆科技有限公司评价	JG-SEMI/台湾金锆	25+	80000	TO-263		询价
IRFS4227TRLPBF	深圳市源盛发电子有限公司评价	IR	25+	68500	TO263	PFR10L60CTB TO263	询价
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IRFS4227TRLPBF	深圳市福田区新亚洲电子市场二期诚利电子经营部评价	INFINEON/英飞凌	26+	65252	D2PAK		询价
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IRFS4227TRLPBF相关信息：

类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET - 单系列：HEXFET®FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点：标准型开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：26 毫欧 @ 46A, 10V漏极至源极电压(Vdss)：200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：62AId 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：98nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4600pF @ 25V功率 - 最大：330W安装类型：表面贴装封装/外壳：D²Pak，TO-263（2 引线 + 接片）包装：带卷 (TR)供应商设备封装：D2PAK

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