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型号
供应商
品牌 批号 数量 封装 交易说明 询价
LM358

深圳市美科汇科技有限公司

MAKOSEMI

15+

800004020

SOP-8

 询价

LM358

深圳市福田区艾默森电子经营部第十一部

TI/ST/ON

2602+

88855868

SOP8

 询价

LM358

深圳市福田区艾默森电子经营部

TI/ST/ON

2602+

88855868

SOP8

 询价

LM358

深圳市福田区艾默森电子经营部第七部

TI/德州仪器

26+

88855868

SOP8

 询价

LM358

深圳市福田区艾默森电子经营部第五部

TI/ST/ON

26+

88854898

SOP8

 询价

LM358

深圳市福田区艾默森电子经营部第九部

TI/ST/ON

2418+

88854898

SOP8

 询价

LM358

深圳市福田区艾默森电子经营部第三部

TI/ST/ON

2601+

88854898

SOP8

 询价

LM358

深圳市英锐芯科技有限公司

TI/德州仪器

26+

83036662

DIP-8SOP-8

 询价

LM358

韦纳半导体(北京)有限责任公司

TI/德州仪器

24+

33324454

PDIP8SOIC8SO8TSSOP8V

 询价

LM358

杭州赫曼半导体科技有限公司

国产

19+

10000000

DIP8.SOP8

低功耗双运算放大电路 Low Power Dual Operational Amplifier

 询价

LM358

深圳市世纪天创科技有限公司

国产IC

2025

9890000

TSSOP8

 询价

LM358

深圳市馨晋商电子有限公司

GAOGE/高格芯

21+

8552200

SOP-DIP

 询价

LM358

深圳新景润电子科技有限公司

WACANM

24+

8000000

SOP8/DIP8

 询价

lm358

深圳市创德丰电子有限公司

台湾

10+

7000000

 询价

lm358

深圳市创德丰电子有限公司

台湾

10+

7000000

 询价

LM358

深圳市欧达佳电子科技有限公司

国产

21+

6000000

SOP-8

 询价

LM358

深圳市芯玺界科技有限公司

国产

26

6000000

DIP8/SOP8

 询价

LM358

深圳市轩翔电子有限公司

TI/德州仪器

24+

5000008

SOPDIP

 询价

LM358

江苏高格芯微电子有限公司

GAOGE/高格芯

25+

4713471

SOPDIP

 询价

LM358

金星科技(香港)電子有限公司

SWIRE/太古/ST/TI/ON

26+

4443334

SOP-8DIP-8

实际测试参数可高于

 询价

LM358

深圳市恒佳兴电子有限公司

HX/恒佳兴

2022+

3218818

SOP-8

 询价

LM358

深圳厘谷电子有限公司

LG

25+

2122222

SOP-DIP

 询价

LM358

深圳市万优通电子科技有限公司

TE-ONG/拓能

2025+

1803000

SOP-8

 询价

LM358

深圳市博伟奇电子有限公司

XBLW/芯伯乐

26+

1393420

SOP8/DIP8/TSSOP8/MSO

 询价

LM358

深圳市福田区博伟奇微电子商行(原深圳市博伟奇电子有限公司)

XBLW/芯伯乐

26+

1393420

SOP8/DIP8/TSSOP8/MSO

 询价

LM358

深圳市荣信源科技有限公司

TI/德州仪器

19+

1350000

SOP-8

 询价

LM358

深圳市福田区宏烨微电子商行

国产

2026+

1200000

TSSOP8

 询价

LM358

深圳市国中星半导体科技有限公司

国产 中性

22+

1000666

SOP8

26-36V

 询价

LM358

深圳市復元电子商行(个体)

JJW/捷捷微

26+

1000000

SOP8

 询价

LM358

深圳市珑运科技有限公司

3PEAK/思瑞浦

20+

1000000

SMD

 询价

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LM358相关信息:

LM358B和LM2904B器件是业界标准LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)运算放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(典型值300μV),对地共模输入范围和高差分输入电压能力等特性。LM358B和LM2904B器件简化了电路设计,增强了诸如单位增益稳定性,3 mV(室温下最大值)的偏移电压以及300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器使LM358B和LM2904B器件能够用于最恶劣,最具环境挑战性的应用。LM358B和LM2904B器件采用微型封装,如TSOT-8和WSON,以及工业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。

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