NTJD5121NT1G_NTJD5121NT1G全国供应商_PDF中文资料_现货采购批发价格-华强电子网

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NTJD5121NT1G	深圳市大光速电子有限公司评价	ONSEMI/安森美	2025+	6360000	SC-70-6/SOT-363		询价
NTJD5121NT1G	深圳市世康电子科技有限公司评价	ONSEMI/安森美	1823+	5010000	SOT-363		询价
NTJD5121NT1G	华夏芯科技（香港）有限公司评价	ONSEMI/安森美		3804000			询价
NTJD5121NT1G	华夏芯科技（香港）有限公司评价	ONSEMI/安森美		3804000			询价
NTJD5121NT1G	深圳市悦晨科技有限公司评价	ONSEMI/安森美		3534000			询价
NTJD5121NT1G	深圳市宝芯林电子科技有限公司评价	BX	24+	2023214	SC70-6		询价
NTJD5121NT1G	深圳市联达四方科技有限公司评价	ONSEMI/安森美	22+	1321017	SOT363		询价
NTJD5121NT1G	深圳市江宇电子有限公司评价	ONSEMI/安森美	13+14+	1074000			询价
NTJD5121NT1G	华森达电子商行（个体）（原华森达电子科技（香港）有限公司）评价	ONSEMI/安森美	17+	999999	SOT-363		询价
NTJD5121NT1G	深圳市鼎晟源电子有限公司评价	DIODES/美台	23+	999000	SOT-363		询价
NTJD5121NT1G	深圳市凯芯微电子有限公司评价	TECHPUBLIC/台舟	23+	900000	SC70-6		询价
NTJD5121NT1G	深圳市福田区俊腾源电子商行评价	SXSEMI/瞬芯半导体	2025+PB	900000	SOT363		询价
NTJD5121NT1G	深圳市凯芯微电子有限公司评价	TECHPUBLIC/台舟	25+	900000	SC70-6	KK级数量可供	询价
NTJD5121NT1G	深圳市金希微科技有限公司评价	ON/台产/中性	24+	888891	SC-88-6/SC-70-6/SOT-		询价
NTJD5121NT1G	科芯诚(深圳)科技有限公司评价	ONSEMI/安森美	23+	876000	SOT-363		询价
NTJD5121NT1G	深圳市佛通科技有限公司评价	ONSEMI/安森美	25+	843000			询价
NTJD5121NT1G	深圳市智其伟业电子有限公司评价	ONSEMI/安森美	21+	764350	SC70-6		询价
NTJD5121NT1G	上海池普一电子有限公司评价	ONSEMI/安森美		681237	NA		询价
NTJD5121NT1G	深圳市华轩阳电子有限公司评价	HXY MOSFET华轩阳电子	25+	680000	SOT-363	该N沟道增强型场效应管（MOSFET）设计用于精密控制场合，具备0.1A的漏极电流（ID），以及60V的最大漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON	询价
NTJD5121NT1G	深圳市源盛发电子有限公司评价	ONSEMI/安森美	25+	666666	SOT363	热销：三极管 / MOS管 / 晶体管	询价
NTJD5121NT1G	深圳市华工伟业科技有限公司评价	ONSEMI/安森美	22+	652000	6-TSSOPSC-88SOT-363	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	询价
NTJD5121NT1G	深圳市尤采电子有限公司评价	ONSEMI/安森美	22	621000	SOT363		询价
NTJD5121NT1G	深圳市佳芯恒业科技有限公司评价	ONSEMI/安森美	25+	567000	N/A		询价
NTJD5121NT1G	北京南电科技发展有限公司评价	ONSEMI/安森美		531000			询价
NTJD5121NT1G	深圳市成欣科技有限公司评价	ONSEMI/安森美	2018+	498980	SOT-363		询价
NTJD5121NT1G	深圳市正瑞恩电子有限公司评价	ONSEMI/安森美	2436+	496308	SC-70-6		询价
NTJD5121NT1G	深圳市柒舟芯科技有限公司评价	ONSEMI/安森美	22+	458000	SOT363		询价
NTJD5121NT1G	深圳市铭盛电子科技有限公司评价	ONSEMI/安森美	21+22+	411000	SOT-363		询价
NTJD5121NT1G	深圳市科力天电子有限公司评价	ONSEMI/安森美	24+	393000	SOT-363	SMD DIP 二三极管	询价
NTJD5121NT1G	深圳市源洲电子商行(个体) 评价	YZ	2023+	366323	SOT-363		询价

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NTJD5121NT1G相关信息：

类别：分离式半导体产品家庭：MOSFETs - 阵列系列：-FET 型：2 个 N 沟道（双）FET 特点：逻辑电平门开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.6 欧姆 @ 500mA, 10V漏极至源极电压(Vdss)：60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：295mAId 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：0.9nC @ 4.5V在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：26pF @ 20V功率 - 最大：250mW安装类型：表面贴装封装/外壳：SC-70-6，SC-88，SOT-363 包装：带卷 (TR)供应商设备封装：SOT-363

NTJD5121NT1G相关资料：

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批号		封装
* 报价		数量
品质	原装散新翻新国产台产其它
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