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SI1869DH-T1-E3相关信息：

制造商：Vishay产品种类：MOSFET小信号RoHS：是配置：Dual晶体管极性：NandP-Channel汲极/源极击穿电压：20V漏极连续电流：1.2A功率耗散：1000mW最大工作温度：+150C安装风格：SMD/SMT封装/箱体：SC-70-6封装：Reel最小工作温度：-55CStandardPackQty：3000

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