SIR422DP-T1-GE3_SIR422DP-T1-GE3全国供应商_PDF中文资料

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SIR422DP-T1-GE3相关信息：

制造商：VishayRoHS：是配置：Single晶体管极性：N-Channel封装/箱体：PowerPAKSO-8电阻汲极/源极RDS（导通）：0.0054Ohms汲极/源极击穿电压：40V漏极连续电流：16.4A,20.5A,40A功率耗散：34.7W最大工作温度：+150C封装：Reel正向跨导gFS（最大值/最小值）：70S栅极电荷Qg：16.1nC最小工作温度：-55C安装风格：SMD/SMT

SIR422DP-T1-GE3相关资料：

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SIR422DP-T1-GE3烽火指数：

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