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型号 |
供应商
|
品牌 | 批号 | 数量 | 封装 | 交易说明 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TPD2EUSB30DRTR
|
TI/德州仪器
|
2023+ |
999999
|
SOT9X3-3 |
|
||
TPD2EUSB30DRTR
|
TI/德州仪器
|
23+ |
999000
|
SOT723 |
|
||
TPD2EUSB30DRTR
|
TI/德州仪器
|
23+ |
999000
|
SOT-523 |
|
||
TPD2EUSB30DRTR
|
TI/德州仪器
|
23+ |
900000
|
SOT723 |
|
||
TPD2EUSB30DRTR
|
TECHPUBLIC/台舟
|
24+ |
900000
|
SOT-9X3-3 |
KK级数量可供
|
|
|
TPD2EUSB30DRTR
|
TECHPUBLIC/台舟
|
23+ |
900000
|
SOT-9X3-3 |
|
||
TPD2EUSB30DRTR
|
SEMITEH/胜敏特
|
2020+ |
867077
|
SOT-23 |
,可大量供货
|
|
|
TPD2EUSB30DRTR
|
TI/德州仪器
|
2025+ |
663300
|
SOT-23 |
专做ESD/TVS静电二极管
|
|
|
TPD2EUSB30DRTR
|
TI/德州仪器
|
24+ |
497176
|
SOT-9X3-3 |
|
||
TPD2EUSB30DRTR
|
QDON/启迪半导体
|
25+ |
365472
|
SOT23 |
ESD TVS 全系列都有
|
|
|
TPD2EUSB30DRTR
|
CNNPCHIP/新晶微
|
22+ |
335600
|
SOT23 |
|
||
TPD2EUSB30DRTR
|
UNSEMI/优恩
|
24+ |
295200
|
SOT723 |
|
||
TPD2EUSB30DRTR
|
TI/德州仪器
|
23+ |
273000
|
N/A |
|
||
TPD2EUSB30DRTR
|
TI/德州仪器
|
2025+ |
236600
|
SOT-23 |
专注ESD/TVS静电二极管
|
|
|
TPD2EUSB30DRTR
|
ELECSUPER/静芯微
|
24+ |
201368
|
SOT-23 |
|
||
TPD2EUSB30DRTR
|
TI/德州仪器
|
21+ |
180000
|
SOT23 |
|
||
TPD2EUSB30DRTR
|
TI/德州仪器
|
24+ |
168000
|
SOT23 |
|
||
TPD2EUSB30DRTR
|
TI/德州仪器
|
25+ |
158000
|
SOT-23 |
|
||
TPD2EUSB30DRTR
|
TI/德州仪器
|
150000
|
SOT23 |
|
|||
TPD2EUSB30DRTR
|
TI/德州仪器
|
150000
|
SOT23 |
|
|||
TPD2EUSB30DRTR
|
TI/德州仪器
|
150000
|
SOT23 |
|
|||
TPD2EUSB30DRTR
|
TI/德州仪器
|
150000
|
|
||||
TPD2EUSB30DRTR
|
ELECSUPER/静芯微
|
23+ |
120000
|
SOT-23 |
|
||
TPD2EUSB30DRTR
|
ELECSUPER/静芯微
|
24+ |
120000
|
SOT-23 |
|
||
TPD2EUSB30DRTR
|
TI/德州仪器
|
24+ |
100000
|
|
|||
TPD2EUSB30DRTR
|
TI/德州仪器
|
24+ |
90000
|
sot |
|
||
TPD2EUSB30DRTR
|
TI/德州仪器
|
23+ |
88000
|
SOT-9X3-3 |
|
||
TPD2EUSB30DRTR
|
JG-SEMI/台湾金锆
|
25+ |
80000
|
SOT-23 |
|
||
TPD2EUSB30DRTR
|
TI/德州仪器
|
22+ |
66000
|
NA |
|
||
TPD2EUSB30DRTR
|
SK/森浦科
|
24+ |
64827
|
SOT-9X3-3 |
MOS LDO AMPS
|
|
TPD2EUSB30、TPD2EUSB30A和TPD4EUSB30是基于2通道和4通道瞬态电压抑制器(TVS)的静电放电(ESD)保护二极管阵列。TPDXEUSB30/A器件的额定ESD冲击消散值达到了IEC61000-4-2国际标准(接触式)规定的最高水平。根据IEC61000-4-5(浪涌)规范,这类器件还可提供5A(8/20us)的峰值脉冲电流额定值。TPD2EUSB30A具有4.5V的低直流击穿电压。凭借低电容、低击穿电压和低动态电阻,TPD2EUSB30A器件可为高速差分IO提供出色的保护。TPD2EUSB30和TPD2EUSB30A可采用节省空间的DRT(1mm×1mm)封装:TPD4EUSB30可采用节省空间的DQA(2.5mm×1.0mm)封装。
型号 | 厂商 | 大小 | ||
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TPD2EUSB30DRTR | TECHPUBLIC/台舟 | 下载 | ||
TPD2EUSB30DRTR | Texas Instruments | 1.52M | 下载 |
TPD2EUSB30DRTR的搜索指数、商家竞价均价、商家总数以及库存量等烽火指数情况 点击查看