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求SI2301资料

悬赏:5     提问者:深圳楷轩电子有限公司     解决时间:2011/5/25 11:41:58

求SI2301资料

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SI2301特点:晶体管类型:P沟道MOSFET, 最大功耗PD:1.25W, 栅极门限电压VGS:2.5V(典型值), 漏源电压VDS:-20V(极限值), 漏极电流ID:-2.3A, 通态电阻RDS(on):0.145ohm(典型值), 栅极漏电流IGSS:±100nA, 结温:-55℃to+150℃, 封装:SOT-23(TO-236)

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3 您已评价! 回答者:深圳市一统电子   2011/4/26 9:06:04

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SI2301PDF资料:http://www.hqew.com/tech/pdf/view_9c601d27-c868-46ad-ba91-15bb555cc2f8.html#LoginUser

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1 您已评价! 回答者: 深圳市一统电子    2011/4/26 9:04:59

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