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| 型号 |
供应商
|
品牌 | 批号 | 数量 | 封装 | 交易说明 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
APT53F80J
|
MICROCHIP/微芯
|
22+ |
33000
|
NA |
Microchip主营品牌
|
|
|
|
APT53F80J
|
MICROCHIP/微芯
|
22+ |
28600
|
|
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|
APT53F80J
|
APTMICROSEMI
|
23+ |
21368
|
ISOTOPFONT |
|
||
|
APT53F80J
|
MICROCHIP/微芯
|
2022 |
9000
|
TO-227B |
|
||
|
APT53F80J
|
MICROCHIP/微芯
|
2022 |
9000
|
TO-227B |
|
||
|
APT53F80J
|
APT/晶科电子
|
5836
|
|
||||
|
APT53F80J
|
ISC/无锡固电
|
25+ |
3000
|
ISOTOPSOT-227 |
|
||
|
APT53F80J
|
MICROCHIP/微芯
|
25+ |
2088
|
|
|||
|
APT53F80J
|
APTCHIP/爱普特微
|
2020+ |
2000
|
MODULE |
|
||
|
APT53F80J
|
Microsemi/美高森美
|
19+ |
1185
|
MODULE |
|
||
|
APT53F80J
|
Microsemi/美高森美
|
16+ |
1001
|
MODULE |
|
||
|
APT53F80J
|
NYS/南洋电子
|
25+ |
1000
|
SOT-227 |
|
||
|
APT53F80J
|
APT/晶科电子
|
2020 |
1000
|
SOT-227 |
|
||
|
APT53F80J
|
MICROSEMI/美高森美
|
24+ |
1000
|
MODULE |
|
||
|
APT53F80J
|
APT/晶科电子
|
18+ |
968
|
MODULE |
|
||
|
APT53F80J
|
APTCHIP/爱普特微
|
748
|
MODULE |
|
|||
|
APT53F80J
|
Microsemi/美高森美
|
24+ |
600
|
SOT227 |
|
||
|
APT53F80J
|
Microsemi/美高森美
|
24+ |
600
|
SOT227 |
|
||
|
APT53F80J
|
APT/晶科电子
|
15+ |
421
|
|
|||
|
APT53F80J
|
APT
|
22+ |
300
|
MODULE |
|
||
|
APT53F80J
|
APT
|
04+ |
271
|
SOT-227 |
|
||
|
APT53F80J
|
APT/晶科电子
|
122
|
MODULE |
|
|||
|
APT53F80J
|
MICROSEMI/美高森美
|
24+ |
50
|
模块 |
模块经营部
|
|
|
|
APT53F80J
|
MICROSEMI/美高森美
|
24+ |
50
|
模块 |
模块经营部
|
|
|
|
APT53F80J
|
APT/晶科电子
|
15+ |
26
|
MODULE |
MODULE
|
|
|
|
APT53F80J
|
APT/晶科电子
|
12
|
N/A |
|
|||
|
APT53F80J
|
APT/晶科电子
|
12
|
N/A |
|
类别:半导体模块 家庭:MOSFETs 系列:POWER MOS 8™FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点:标准型开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:130 毫欧 @ 43A, 10V漏极至源极电压(Vdss):800V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:53AId 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 5mA闸电荷(Qg) @ Vgs:570nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss) :17550pF @ 25V功率 - 最大:960W安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227, miniBLOC包装:管件供应商设备封装:ISOTOP®
APT53F80J的搜索指数、商家竞价均价、商家总数以及库存量等烽火指数情况 点击查看