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BC847BPDXV6T1G

广东星河微电子有限公司

ONSEMI/安森美

22+

75

SOT563

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BC847BPDXV6T1G

深圳市万芯时代贸易有限公司

-

22+

1

NA

回收工厂总单.回收此型号15207542600

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BC847BPDXV6T1G相关信息:

类别:分离式半导体产品 家庭:晶体管(BJT) - 阵列系列:-晶体管类型:NPN, PNP电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA电压 - 集电极发射极击穿(最大):45VIb、Ic条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA电流 - 集电极截止(最大):-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):200 @ 2mA, 5V功率 - 最大:500mW频率 - 转换:100MHz安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563, SOT-6包装:带卷 (TR)供应商设备封装:SOT-563其它名称:BC847BPDXV6T1GOSBC847BPDXV6T1GOS-NDBC847BPDXV6T1GOSTR

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