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BC857CLT1G	深圳市博盛达电子有限公司评价	ONSEMI/安森美	24+	61409	N/A		询价
BC857CLT1G	深圳市新博利科技有限公司评价	NINEZERO	26+	60600	SMD	SiSS22LDN-T1-E3`SiSS22LDN-T1-GE3	询价
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BC857CLT1G	深圳市凯鑫跃电子有限公司评价	ONSEMI/安森美	25+PB	45000	SOT-23		询价
BC857CLT1G	深圳市吉利鑫科技发展有限公司评价	ONSEMI/安森美	26+	45000	SMD		询价
BC857CLT1G	深圳市福田区南盟电子商行评价	ONSEMI/安森美	2022+	42000			询价
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BC857CLT1G	深圳市隆泰源科技发展有限公司评价	NXP/ON	25+	39000	SOT-23	晶体三极管	询价
BC857CLT1G	深圳市铭芯杰科技有限公司评价	ONSEMI/安森美	2015+	36000	SOT-23		询价
BC857CLT1G	深圳市普天乐电子科技有限公司评价	ONSEMI/安森美	25+	36000	SOT-23		询价
BC857CLT1G	深圳市福田区新亚洲电子市场二期昭兴电子商行评价	ONSEMI/安森美	16+	36000	SOT-23		询价
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BC857CLT1G相关信息：

类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):45集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):420直流电流增益hFE最大值(dB):800最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100封装/温度(℃):SOT-23/-55~150

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