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BDT60C

匠芯半导体(深圳)有限公司

NXP/恩智浦

2024+

200100

TO-220

 询价

BDT60C

深圳市源盛发电子有限公司

NEXPERIA/安世

25+

68500

TO220

TMG5D80 TO220

 询价

BDT60C

深圳市福田区新亚洲电子市场二期诚利电子经营部

ST/意法

23+

52388

TO-220

 询价

BDT60C

深圳市杰芯卓越电子有限公司

NXP/恩智浦

24+

38658

TO-220

800180089

 询价

BDT60C

深圳市财润达恒科技有限公司

FAIRCHILD/仙童

2019+

38000

TO-220

 询价

BDT60C

深圳市金源海微电子有限公司

ST/意法

21+

32565

TO-220

 询价

BDT60C

深圳市森桂电子有限公司

NXP/恩智浦

23+

32121

TO-220

 询价

BDT60C

深圳市星光盛科技有限公司

NXP/恩智浦

22+

15000

TO-220

 询价

BDT60C

深圳市盛世华电子经营部(个体)

PHILIPS/飞利浦

08+

8550

TO-220

 询价

BDT60C

深圳市铨源盛科技有限公司

ST/意法

25+

7600

TO-220

 询价

BDT60C

深圳市福田区管通宏业电子经营部

NXP/恩智浦

14+

4253

TO-220

 询价

BDT60C

无锡固电半导体股份有限公司

ISC/无锡固电

26+

3000

TO-220

 询价

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BDT60C相关信息:

制造商: Bourns产品种类: 达林顿晶体管配置: Single晶体管极性: PNP封装 / 箱体: TO-220集电极—发射极最大电压 VCEO: 120 V发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V集电极—基极电压 VCBO: 80 V峰值直流集电极电流: 4 A最大集电极截止电流: 200 uA最大工作温度: + 150 C最小工作温度: - 65 C直流电流增益 hFE 最小值: 750 @ 1.5 A @ 3 V

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