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FDA16N50_F109相关信息：

类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET - 单系列：UniFET™FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点：标准型开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：380 毫欧 @ 8.3A, 10V漏极至源极电压(Vdss)：500V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：16.5AId 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：45nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1945pF @ 25V功率 - 最大：205W安装类型：通孔封装/外壳：TO-3PN-3包装：管件供应商设备封装：*

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