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型号
供应商
品牌 批号 数量 封装 交易说明 询价
FDS6982AS

深圳市中盈通顺科技有限公司

ONSEMI/安森美

10000

 询价

FDS6982AS

深圳市聚芯世纪科技有限公司

ONSEMI/安森美

23+

10000

SOP8

 询价

FDS6982AS

深圳市懿创科技有限公司

ONSEMI/安森美

23+

10000

 询价

FDS6982AS

捷明电子(香港)有限公司

ONSEMI/安森美

20+

10000

SOP-8

 询价

FDS6982AS

深圳市泓兴泰电子有限公司

FAIRCHILD/仙童

10+

10000

SOP8

 询价

FDS6982AS

深圳市三峰伟业电子有限公司

FAIRCHILD/仙童

21+

9800

SOP8

 询价

FDS6982AS

深圳市中新永盛科技有限公司

FAIRCHILD/仙童

22+

9500

SOP8

 询价

FDS6982AS

深圳市涛铭芯电子有限公司

FAIRCHILD/仙童

10+

9297

SOP8

 询价

FDS6982AS

深圳市嘉源兴业电子有限公司

FAIRCHILD/仙童

10+

9297

SOP8

 询价

FDS6982AS

深圳市福田区雄声鸿电子商行

FAIRCHILD/仙童

21+

8820

SOP8

 询价

FDS6982AS

深圳市福田区伟成兴隆电子经营部

FAIRCHILD/仙童

16+

8268

SOP8

 询价

FDS6982AS

深圳华瑞科创电子有限公司

ONSEMI/安森美

2241+

8230

SOP-8

 询价

FDS6982AS

成都正楷电子有限公司

VBSEMI/微碧半导体

22+

8000

SO-8

 询价

FDS6982AS

深圳市正沃电子有限公司

FAIRCHILD/仙童

2025+

8000

 询价

FDS6982AS

深圳市龙时佳电子有限公司

FAIRCHILD/仙童

22+

7600

SOP-8

 询价

FDS6982AS

深圳市荣盛万鑫科技有限公司

FAIRCHILD/仙童

2012+

7556

SOP-8

 询价

FDS6982AS

深圳市科佳鑫伟业电子有限公司

FAIRCHILD/仙童

1019+

7500

SOP-8

 询价

FDS6982AS

深圳市万汇科技电子商行(个体)

FAIRCHILD/仙童

19+

7000

SOP8

 询价

FDS6982AS

深圳市华芯洋电子有限公司

NK/南科功率

2025+

6969

SOP-8

中低压场效应管

 询价

FDS6982AS

深圳市银森电子有限公司

ONSEMI/安森美

1824+

6830

SOP-8

MOSFET SO-8 N-CH 12 30V

 询价

FDS6982AS

深圳市宏昇泰电子有限公司

FAIRCHILD/仙童

16+

6760

SOP-8

 询价

FDS6982AS

深圳市城南芯科技有限公司

FAIRCHILD/仙童

1113+

6718

SOP-8

 询价

FDS6982AS

优信半导体(深圳)有限公司

Fairchild飞兆/仙童

25+

6666

 询价

FDS6982AS

深圳市唯有度科技有限公司

ONSEMI/安森美

24+

6280

SOP8

 询价

FDS6982AS

深圳市福田区华昭达电子商行

FAIRCHILD/仙童

11+

6000

SOP-8

 询价

FDS6982AS

深圳市微铨科技有限公司

ONSEMI/安森美

21+

6000

SOP-8

 询价

FDS6982AS

深圳市华进财科技有限公司

FAIRCHILD/仙童

11+

6000

SOP-8

 询价

FDS6982AS

深圳市湘达电子有限公司

FAIRCHILD/仙童

19+

5800

 询价

FDS6982AS

深圳市福田区新易天电子经营部

FAIRCHILD/仙童

24+

5631

SOP8

 询价

FDS6982AS

深圳市福田区创业电容电子商行

FAIRCHILD/仙童

17+

5555

SOP8

 询价

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FDS6982AS相关信息:

晶体管极性:N漏极电流, Id 最大值:8.6A电压, Vds 最大:30V开态电阻, Rds(on):28mohm电压 @ Rds测量:10V电压, Vgs 最高:1.4V功耗:2W封装类型:SOIC针脚数:8SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)封装类型:SOIC晶体管数:1晶体管类型:MOSFET漏极连续电流, Id N沟道(1):6.3A漏极连续电流, Id N沟道(2):8.6A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:30V电流, Id 连续:6.3A脉冲电流, Idm N沟道(1):20A脉冲电流, Idm N沟道(2):30A表面安装器件:表面安装通态电阻, Rds on N沟道 1:0.0135ohm通态电阻, Rds on N沟道 2:0.028ohm阈值电压, Vgs th 典型值:1.9VSVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)

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