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晶体管极性:N漏极电流, Id 最大值:8.6A电压, Vds 最大:30V开态电阻, Rds(on):28mohm电压 @ Rds测量:10V电压, Vgs 最高:1.4V功耗:2W封装类型:SOIC针脚数:8SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)封装类型:SOIC晶体管数:1晶体管类型:MOSFET漏极连续电流, Id N沟道(1):6.3A漏极连续电流, Id N沟道(2):8.6A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:30V电流, Id 连续:6.3A脉冲电流, Idm N沟道(1):20A脉冲电流, Idm N沟道(2):30A表面安装器件:表面安装通态电阻, Rds on N沟道 1:0.0135ohm通态电阻, Rds on N沟道 2:0.028ohm阈值电压, Vgs th 典型值:1.9VSVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)

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