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类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET - 单系列：QFET™FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点：标准型开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.1 欧姆 @ 5A, 10V漏极至源极电压(Vdss)：800V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：10AId 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：58nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2800pF @ 25V功率 - 最大：240W安装类型：通孔封装/外壳：TO-3PN-3包装：管件供应商设备封装：*

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