FQB34P10TM_F085_FQB34P10TM_F085全国供应商_PDF中文资料

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FQB34P10TM_F085相关信息：

类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET - 单系列：QFET™FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点：标准型开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：60 毫欧 @ 16.75A, 10V漏极至源极电压(Vdss)：100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：33.5AId 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：110nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2910pF @ 25V功率 - 最大：3.75W安装类型：表面贴装封装/外壳：D²Pak，TO-263（2 引线 + 接片）包装：带卷 (TR)供应商设备封装：*其它名称：FQB34P10TM_F085TR

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型号
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*批号		*数量
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*型号		厂商
批号		封装
* 报价		数量
品质	原装散新翻新国产台产其它
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