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| 型号 |
供应商
|
品牌 | 批号 | 数量 | 封装 | 交易说明 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQU2N90TU_AM002
|
FAIRCHILD/仙童
|
2025 |
350000
|
IPAK-3 / DPAK-3 STRA |
MOS管
|
|
|
|
FQU2N90TU_AM002
|
FAIRCHILD/仙童
|
2025+ |
132812
|
TO-251 |
|
||
|
FQU2N90TU_AM002
|
FAIRCHILD/仙童
|
24+ |
38658
|
TO-251 |
800180089
|
|
|
|
FQU2N90TU_AM002
|
ONSEMI/安森美
|
2019+ |
30000
|
TO-251 |
FQU2N90TU_AM002
|
|
|
|
FQU2N90TU_AM002
|
FAIRCHILD/仙童
|
23+ |
20001
|
TO-251 |
|
||
|
FQU2N90TU_AM002
|
FAIRCHILD/仙童
|
23+ |
20001
|
TO-251 |
|
||
|
FQU2N90TU_AM002
|
FAIRCHILD/仙童
|
22+ |
15000
|
TO-2513L(IPAK) |
|
||
|
FQU2N90TU_AM002
|
FAIRCHILD/仙童
|
2015 |
4000
|
TO-251 |
|
||
|
FQU2N90TU_AM002
|
FAIRCHILD/仙童
|
1212+ |
1920
|
TO-220 |
|
||
|
FQU2N90TU_AM002
|
FAIRCHILD/仙童
|
16+ |
960
|
TO-251 |
|
类别:分离式半导体产品 家庭:MOSFET,GaNFET - 单 系列:QFET™FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点:标准型开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:7.2 欧姆 @ 850mA, 10V漏极至源极电压(Vdss):900V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.7AId 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:15nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss) :500pF @ 25V功率 - 最大:2.5W安装类型:通孔 封装/外壳:IPak, TO-251, DPak, VPak (3 直引线 + 接片) 包装:管件供应商设备封装:*
FQU2N90TU_AM002的搜索指数、商家竞价均价、商家总数以及库存量等烽火指数情况 点击查看