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供应商
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品牌 | 批号 | 数量 | 封装 | 交易说明 | 询价 |
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HUFA76609D3ST_F085
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NK/南科功率
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2024+520 |
250102
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TO-252 |
252封装 20V-250V
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HUFA76609D3ST_F085
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国产
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23+ |
200000
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TO-252DPAK |
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HUFA76609D3ST_F085
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台产
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20+ |
65493
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TO-252 |
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HUFA76609D3ST_F085
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FAIRCHILD/仙童
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22+ |
65252
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TO-252 |
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HUFA76609D3ST_F085
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BX
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23+ |
50000
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TO252 |
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HUFA76609D3ST_F085
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ONSEMI/安森美
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23+ |
40000
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TO-252AA |
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HUFA76609D3ST_F085
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F
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22+ |
32363
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TO-252 |
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HUFA76609D3ST_F085
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COVASON/昌贯
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23+ |
26523
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TO-252 |
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HUFA76609D3ST_F085
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ONSEMI/安森美
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2023+ |
26522
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TO-252 |
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HUFA76609D3ST_F085
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FAIRCHILD/仙童
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2007 |
26000
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TO-252 |
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HUFA76609D3ST_F085
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ONSEMI/安森美
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2021+ |
19053
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TO-252AA |
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HUFA76609D3ST_F085
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VBsemi/微碧半导体
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20+ |
10000
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TO252 |
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HUFA76609D3ST_F085
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FAIRCHILD/仙童
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2021 |
4000
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TO-252 |
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HUFA76609D3ST_F085
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ONSEMI/安森美
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22+ |
3000
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TO-252-3 |
MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
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HUFA76609D3ST_F085
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ONSEMI/安森美
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2022+ |
500
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NA |
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HUFA76609D3ST_F085
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ONSEMI/安森美
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1
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类别：分离式半导体产品 家庭：MOSFET，GaNFET - 单 系列：UltraFET™FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点：逻辑电平门开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：160 毫欧 @ 10A, 10V漏极至源极电压(Vdss)：100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：10AId 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：16nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：425pF @ 25V功率 - 最大：49W安装类型：表面贴装 封装/外壳：DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)包装：带卷 (TR)供应商设备封装：*
HUFA76609D3ST_F085的搜索指数、商家竞价均价、商家总数以及库存量等烽火指数情况 点击查看
