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IRC830相关信息：

类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET - 单系列：HEXFET®FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点：电流感测开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.5 欧姆 @ 2.7A, 10V漏极至源极电压(Vdss)：500V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.5AId 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：38nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：610pF @ 25V功率 - 最大：74W安装类型：通孔封装/外壳：TO-220-5（直引线）包装：管件供应商设备封装：*其它名称：*IRC830

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