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| 型号 |
供应商
|
品牌 | 批号 | 数量 | 封装 | 交易说明 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFR11N25D
|
NK/南科功率
|
2026+ROHS |
250102
|
TO-252 |
|
||
|
IRFR11N25D
|
VISHAY/威世
|
2025+ |
137027
|
TO-220 |
|
||
|
IRFR11N25D
|
INFINEON/英飞凌
|
20+ |
87700
|
DPAK |
|
||
|
IRFR11N25D
|
VISHAY/威世
|
25+ |
68500
|
TO252 |
三极管 / MOS管 / 晶体管
|
|
|
|
INFINEON/英飞凌
|
26+ |
65252
|
DPAK |
|
|||
|
IRFR11N25D
|
COVASON/昌贯
|
26+ |
54256
|
TO-252 |
|
||
|
IRFR11N25D
|
VISHAY/威世
|
22+ |
32363
|
DPAK |
|
||
|
IRFR11N25D
|
INFINEON/英飞凌
|
23+ |
20001
|
TO-252 |
|
||
|
IRFR11N25D
|
INFINEON/英飞凌
|
23+ |
20001
|
TO-252 |
|
||
|
IRFR11N25D
|
IR/VishayAY
|
25+ |
12500
|
SOT-252 |
|
||
|
IRFR11N25D
|
INFINEON/英飞凌
|
22+ |
10950
|
TO-252 |
|
||
|
IRFR11N25D
|
IR/VISHAY
|
10+PB |
10000
|
SOT-252 |
|
类别:分离式半导体产品 家庭:MOSFET,GaNFET - 单 系列:-FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点:标准型开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:-漏极至源极电压(Vdss):250V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:-Id 时的 Vgs(th)(最大):-闸电荷(Qg) @ Vgs:-在 Vds 时的输入电容(Ciss) :-功率 - 最大:-安装类型:表面贴装 封装/外壳:DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)包装:管件供应商设备封装:*其它名称:*IRFR11N25D
IRFR11N25D的搜索指数、商家竞价均价、商家总数以及库存量等烽火指数情况 点击查看