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IRFR3518TRPBF相关信息：

类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET - 单系列：HEXFET®FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点：标准型开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：29 毫欧 @ 18A, 10V漏极至源极电压(Vdss)：80V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：38AId 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：56nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1710pF @ 25V功率 - 最大：110W安装类型：表面贴装封装/外壳：DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)包装：带卷 (TR)供应商设备封装：D-Pak

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