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类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET - 单系列：HEXFET®FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点：标准型开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：26 毫欧 @ 46A, 10V漏极至源极电压(Vdss)：200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：62AId 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：98nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4600pF @ 25V功率 - 最大：330W安装类型：表面贴装封装/外壳：D²Pak，TO-263（2 引线 + 接片）包装：带卷 (TR)供应商设备封装：D2PAK

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