IS61WV51216BLL-10TLI_IS61WV51216BLL-10TLI全国供应商_PDF中文资料

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IS61WV51216BLL-10TLI	深圳市商腾科技有限公司评价	ISSI/芯成	1026+	15	TSOP44		询价
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IS61WV51216BLL-10TLI	深圳市金广泰微电子有限公司评价	ISSI/芯成	1408+1207+	8	TSOP44		询价
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IS61WV51216BLL-10TLI	深圳市科鑫来电子有限公司评价	ISSI/芯成	1844+	6	TSOP		询价
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IS61WV51216BLL-10TLI	深圳市银宏芯电子有限公司评价	ISSI/芯成	18+	5	44-TSOP II		询价
IS61WV51216BLL-10TLI	汕头市滨胜电子商行（个体）评价	ISSI/芯成		5	TSOP44		询价
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IS61WV51216BLL-10TLI	深圳市福田区旭博裕电子商行评价	NA	2015+	5	NA		询价
IS61WV51216BLL-10TLI	深圳市鼎盛盈科电子有限公司评价	ISSI/芯成	1013	5	TSOP		询价
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IS61WV51216BLL-10TLI相关信息：

制造商: ISSI产品种类: SRAM存储容量: 8 Mbit访问时间: 10 ns封装 / 箱体: TSOP-II电源电压（最大值）: 3.6 V电源电压（最小值）: 2.4 V最大工作电流: 95 mA最大工作温度: + 85 C最小工作温度: - 40 C封装: Tray安装风格: SMD/SMT端口数量: 1工作电源电压: 2.5 V or 3.3 V类型: Asynchronous

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