IS62WV51216BLL-55TLI_IS62WV51216BLL-55TLI全国供应商_PDF中文资料

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IS62WV51216BLL-55TLI	深圳市明嘉莱科技有限公司评价	ISSI/芯成	2115	21000	TSOP44		询价
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IS62WV51216BLL-55TLI	深圳市智其伟业电子有限公司评价	ISSI/芯成	21+	20000	TSOP44		询价
IS62WV51216BLL-55TLI	深圳市富强通电子科技有限公司评价	ISSI/芯成	25+	20000	TSOP44		询价
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IS62WV51216BLL-55TLI	深圳市金锐力科技有限公司评价	ISSI/芯成	2018+	15500	TSSOP44		询价
IS62WV51216BLL-55TLI	深圳市亨源电子有限公司评价	ISSI/芯成	24+	15000	TSSOP44		询价
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IS62WV51216BLL-55TLI	深圳市携诚达科技有限公司评价	ISSI美国芯成	24+	10006	TSOPII-44		询价
IS62WV51216BLL-55TLI	深圳明嘉瑞科技有限公司评价	ISSI/芯成	23+	10000	N/A		询价
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IS62WV51216BLL-55TLI相关信息：

制造商: ISSI产品种类: SRAM存储容量: 8 MB访问时间: 55 ns封装 / 箱体: TSOP-44电源电压（最大值）: 3.6 V电源电压（最小值）: 2.5 V最大工作电流: 5 mA组织: 512 K x 16接口: TTL最大工作温度: + 85 C最小工作温度: - 40 C安装风格: SMD/SMT端口数量: 1工作电源电压: 2.5 V to 3.6 V类型: Asynchronous

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