类别：分离式半导体产品 家庭：MOSFET，GaNFET - 单 系列：PolarHV™FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点：标准型开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：720 毫欧 @ 500mA, 10V漏极至源极电压(Vdss)：800V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：14AId 时的 Vgs(th)（最大）：5.5V @ 4mA闸电荷(Qg) @ Vgs：61nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：3900pF @ 25V功率 - 最大：400W安装类型：通孔 封装/外壳：TO-247包装：管件供应商设备封装：*

IXFH14N80P的搜索指数、商家竞价均价、商家总数以及库存量等烽火指数情况 点击查看