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型号
供应商
品牌 批号 数量 封装 交易说明 询价
MMSZ5257BT1G

深圳市华众信电子有限公司

ONSEMI/安森美

20+

42000

SOD123

 询价

MMSZ5257BT1G

深圳南电森美电子有限公司

ONSEMI/安森美

+

42000

 询价

MMSZ5257BT1G

深圳市信芯科创半导体有限公司

ONSEMI / 安森美 全系列订货

24+25+

42000

合理TP/99%成单

 询价

MMSZ5257BT1G

深圳市芯启扬科技有限公司

ONSEMI/安森美

23+

41553

N/A

 询价

MMSZ5257BT1G

西安比川电子科技有限责任公司

ONSEMI/安森美

24+

40000

SOD-123

 询价

MMSZ5257BT1G

深圳市福田区恒科电子商行

ONSEMI/安森美

23+

38298

SOD-123

 询价

MMSZ5257BT1G

圣禾堂(深圳)电子科技有限公司

ONSEMI/安森美

24+

36704

SOD-123

 询价

MMSZ5257BT1G

深圳市华蔼科技有限公司

ONSEMI/安森美

24+

36000

SMD

 询价

MMSZ5257BT1G

深圳市铭芯杰科技有限公司

LRC/乐山

2015+

36000

SOD123

 询价

MMSZ5257BT1G

深圳市芯润时代科技有限公司销售二部

ONSEMI/安森美

25+

35000

SOD123

 询价

MMSZ5257BT1G

深圳市芯润时代科技有限公司销售一部

ONSEMI/安森美

25+

35000

SOD123

 询价

MMSZ5257BT1G

深圳市芯润时代科技有限公司销售六部

ONSEMI/安森美

25+

35000

SOD123

 询价

MMSZ5257BT1G

深圳市琪涵半导体科技有限公司

ONSEMI/安森美

24+

33600

SOD-123

 询价

MMSZ5257BT1G

深圳市天宇豪科技有限公司

ONSEMI/安森美

23+

33000

SOD-123

ON主营产品

 询价

MMSZ5257BT1G

深圳市福田区新亚洲电子市场腾赋电子商行

ONSEMI/安森美

11+

32600

SOD-123

 询价

MMSZ5257BT1G

深圳市汉威电子科技有限公司

ONSEMI/安森美

23+

30000

N/A

 询价

MMSZ5257BT1G

深圳市共强科技有限公司

ONSEMI/安森美

25

30000

 询价

MMSZ5257BT1G

深圳市福田区昶源伟业商行

ONSEMI/安森美

20+

30000

SOD123

 询价

MMSZ5257BT1G

深圳雅睿器材有限公司

ONSEMI/安森美

22+

30000

 询价

MMSZ5257BT1G

深圳市安源微电子科技有限公司

ONSEMI/安森美

23+

30000

 询价

MMSZ5257BT1G

深圳市源兴泰电子展销柜(个体)

ONSEMI/安森美

22+

30000

SOD123

 询价

MMSZ5257BT1G

深圳为善科技有限公司

ONSEMI/安森美

24+

28000

SOD-123

 询价

MMSZ5257BT1G

深圳市永泰盛电子商行(个体)

ONSEMI/安森美

1105+

27000

SOT23

 询价

MMSZ5257BT1G

上海池普一电子有限公司

ONSEMI/安森美

24000

NA

 询价

MMSZ5257BT1G

SMITH & ASSOCIATES FAR EAST LIMITED

ONSEMI/安森美

21000

 询价

MMSZ5257BT1G

康狮德电子(太仓)有限公司

ONSEMI/安森美

18165

 询价

MMSZ5257BT1G

深圳市晶美隆科技有限公司

ONSEMI/安森美

24+

16320

SOD-123

 询价

MMSZ5257BT1G

深圳市金华信电子有限公司

ONSEMI/安森美

2024+PB

15000

SOD-123

 询价

MMSZ5257BT1G

深圳市君荣电子有限公司

ONSEMI/安森美

23+

15000

SOD-123

 询价

MMSZ5257BT1G

北京永创新电子科技有限公司

ONSEMI/安森美

23+

15000

SOD-123

 询价

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MMSZ5257BT1G相关信息:

齐纳击穿电压Vz最小值(V):31.350齐纳击穿电压Vz典型值(V):33齐纳击穿电压Vz最大值(V):34.650@Izt(mA):3.800齐纳阻抗Zzt(Ω):58最大功率PMax(W):0.500芯片标识:M2封装/温度(℃):SOD123/-55~150

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