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NSBA114TDXV6T1相关信息：

制造商: ON Semiconductor产品种类: 数字晶体管配置: Dual晶体管极性: PNP典型输入电阻器: 10 KOhm封装 / 箱体: SOT-563-6直流电流增益 hFE 最小值: 160 @ 5 mA @ 10 V集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V集电极连续电流: - 0.1 A峰值直流集电极电流: 100 mA功率耗散: 357 mW最大工作温度: + 150 C封装: Reel最小工作温度: - 55 C安装风格: SMD/SMT

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