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NTJD5121NT1G	铧兴科技(深圳)有限公司评价	ONSEMI/安森美	21+	300000	SC-70-6		询价
NTJD5121NT1G	深圳市恒旺达科技有限公司评价	ONSEMI/安森美	21+	300000			询价
NTJD5121NT1G	深圳市钒科电子有限公司评价	ONSEMI/安森美	25+	267800	SOT-363		询价
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NTJD5121NT1G相关信息：

类别：分离式半导体产品家庭：MOSFETs - 阵列系列：-FET 型：2 个 N 沟道（双）FET 特点：逻辑电平门开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.6 欧姆 @ 500mA, 10V漏极至源极电压(Vdss)：60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：295mAId 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：0.9nC @ 4.5V在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：26pF @ 20V功率 - 最大：250mW安装类型：表面贴装封装/外壳：SC-70-6，SC-88，SOT-363 包装：带卷 (TR)供应商设备封装：SOT-363

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批号		封装
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