RW1C020UNT2R_RW1C020UNT2R全国供应商_PDF中文资料_现货采购批发价格-华强电子网

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RW1C020UNT2R相关信息：

类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET - 单系列：-FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点：逻辑电平门开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：105 毫欧 @ 2A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)：20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2AId 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs：2nC @ 4.5V在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：180pF @ 10V功率 - 最大：700mW安装类型：表面贴装封装/外壳：6-WEMT包装：带卷 (TR)供应商设备封装：6-WEMT

RW1C020UNT2R烽火指数：

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